@misc{Landgren_Gunnar_CVD,
 author={Landgren, Gunnar and Radamson, Henry H. and Grahn, Jan},
 howpublished={online},
 publisher={Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa},
 language={ang},
 title={CVD growth of high speed SiGe HBTs using SiH4, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4},
 type={artykuł},
 keywords={HBT, SiGe, epitaxy, silane},
}