Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Optimization of selectedp arameters of SiGe HBT transistors, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Autor:

Jakubowski, Andrzej ; Zaręba, Agnieszka

Data wydania:

2000, nr 3,4

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

SiGe-base HBTs with Gaussian doping distribution are modeled including the effect of the drift field and variable Ge concentration in the base on the diffusion coefficient. Two different Ge distributions in the base are considered: a triangular one and a box one.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:1639 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2000.3-4.31

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

heterojunction bipolar transistor base transit time current gain

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

16 maj 2024

Data dodania obiektu:

20 maj 2014

Liczba wyświetleń treści obiektu:

136

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/1839

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Zaręba, Agnieszka; Jakubowski, Andrzej, Optimization of selectedp arameters of SiGe HBT transistors, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4 16 maj 2024

Obiekty Podobne
Modeling of the inverse base width modulation effect in HBT transistor with graded SiGe base, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Zaręba, Agnieszka

2007, nr 3
artykuł
Modeling SiGe-base HBT using APSYS 2000 - a 2D simulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Linkowski, Adam

2004, nr 1
artykuł
An impact of frequency on capacitances of partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Zaręba, Agnieszka

2000, nr 3,4
artykuł
History of Semiconductors, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia

2010, nr 1
artykuł
Ultrathin oxynitride films for CMOS technology, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B.

2004, nr 1
artykuł
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Pióro, Zbigniew

2004, nr 1
artykuł
Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Bieniek, Tomasz Kudła, Andrzej

2005, nr 1
artykuł
Challenges in ultrathin oxide layers formation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Łukasiak, Lidia Korwin-Pawłowski, Michał

2001, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji