Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: An impact of frequency on capacitances of partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Autor:

Jakubowski, Andrzej ; Tomaszewski, Daniel ; Łukasiak, Lidia ; Zaręba, Agnieszka

Data wydania:

2000, nr 3,4

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

A non-quasi-static model of partially-depleted SOI MOSFETs is presented. Phenomena, which are particularly responsible for dependence of device admittances on frequency are briefly described. Several C-V characteristics of the SOI MOSFET calculated for a wide range of frequencies, preliminary results of numerical analysis and of measurements and brief analysis of the results are presented. Methods of model improvement are proposed.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:1643 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2000.3-4.26

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

SOI MOSFET small-signal models non-quasistaticanalysis admittances

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

16 maj 2024

Data dodania obiektu:

22 maj 2014

Liczba wyświetleń treści obiektu:

104

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/1845

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Tomaszewski, Daniel; Łukasiak, Lidia; Zaręba, Agnieszka; Jakubowski, Andrzej, An impact of frequency on capacitances of partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4 16 maj 2024

Obiekty Podobne
A model of partially-depleted SOI MOSFETs in the subthreshold range, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Domański, Krzysztof

2001, nr 1
artykuł
An impact of physical phenomena on admittances of partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Gibki, Jan

2001, nr 1
artykuł
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Pióro, Zbigniew

2004, nr 1
artykuł
Standardization of the compact model coding: non-fully depleted SOI MOSFET example, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Grabiński, Władysław Lemaitre, Laurent

2005, nr 1
artykuł
Modeling of the inverse base width modulation effect in HBT transistor with graded SiGe base, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Zaręba, Agnieszka

2007, nr 3
artykuł
Characterization of SOI MOSFETs by means of charge-pumping, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Głuszko, Grzegorz Łukasiak, Lidia Gottlob, Heinrich Lemme, Max Szostak, Sławomir

2007, nr 3
artykuł
Optimization of selectedp arameters of SiGe HBT transistors, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Jakubowski, Andrzej Zaręba, Agnieszka

2000, nr 3,4
artykuł
Characterization of SOI fabrication process using gated-diode measurements and TEM studies, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Gibki, Jan Ratajczak, Jacek Kątcki, Jerzy

2000, nr 3,4
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji