Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Characterization of SOI fabrication process using gated-diode measurements and TEM studies, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Autor:

Jakubowski, Andrzej ; Tomaszewski, Daniel ; Łukasiak, Lidia ; Gibki, Jan ; Ratajczak, Jacek ; Kątcki, Jerzy

Data wydania:

2000, nr 3,4

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

SOI fabrication process was characterized using electrical and TEM methods. The investigated SOI structures included partially and fully depleted capacitors, gated diodes and transistors fabricated on SIMOX substrates. From C-V and I-V measurements of gated diodes, the following parameters of partially depleted structures were determined: doping concentration in both n- and p-type regions, average carrier generation lifetimes in the region under the gate and generation velocity at top and bottom surfaces of the active layer. Structures with short lifetime were studied using a transmission electron microscope. TEM studies indicate that the quality of the active layer in the investigated structures is good. Moreover, these studies were used to verify the thicknesses determined by means of electrical characterization methods.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:1645 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2000.3-4.24

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

characterization microelectronics SOI technology

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

16 maj 2024

Data dodania obiektu:

22 maj 2014

Liczba wyświetleń treści obiektu:

149

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/1847

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Gibki, Jan; Kątcki, Jerzy; Ratajczak, Jacek; Łukasiak, Lidia; Jakubowski, Andrzej; Tomaszewski, Daniel, Characterization of SOI fabrication process using gated-diode measurements and TEM studies, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4 16 maj 2024

Obiekty Podobne
An impact of physical phenomena on admittances of partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Gibki, Jan

2001, nr 1
artykuł
Piezoresistive sensors for atomic force microscopy – numerical simulations by means of virtual wafer fab, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Grabiec, Piotr Rangelow, Ivo W. Domański, Krzysztof Barth, Wolfgang Dębski, Tomasz

2001, nr 1
artykuł
An impact of frequency on capacitances of partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Zaręba, Agnieszka

2000, nr 3,4
artykuł
A model of partially-depleted SOI MOSFETs in the subthreshold range, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Domański, Krzysztof

2001, nr 1
artykuł
TSSOI as an efficient tool for diagnostics of SOI technology in Institute of Electron Technology, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Tomaszewski, Daniel Jaroszewicz, Bohdan Grabiec, Piotr Marczewski, Jacek Barański, Mateusz Domański, Krzysztof Kucharski, Krzysztof Kucewicz, Wojciech Grodner, Mirosław Sapor, Maria Kociubiński, Andrzej Niemiec, Halina

2005, nr 1
artykuł
Analysis of the Dispersion of Electrical Parameters and Characteristics of FinFET Devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Korwin-Pawlowski, Michael L. Malinowski, Arkadiusz Sekine, Makoto Hori, Masaru

2009, nr 4
artykuł
History of Semiconductors, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia

2010, nr 1
artykuł
Characterization of SOI MOSFETs by means of charge-pumping, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Głuszko, Grzegorz Łukasiak, Lidia Gottlob, Heinrich Lemme, Max Szostak, Sławomir

2007, nr 3
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji