Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Charge-pumping characterization of SOI devices fabricated by means of wafer bonding over pre-patterned cavities, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Autor:

Raskin, Jean-Pierre ; Głuszko, Grzegorz ; Łukasiak, Lidia ; Olbrechts, Benoit ; Kilchytska, Valeriya ; Flandre, Denis ; Chung, Tsung Ming

Data wydania:

2007, nr 3

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

The quality of the silicon-buried oxide bonded interface of SOI devices created by thin Si film transfer and bonding over pre-patterned cavities, aiming at fabrication of DG and SON MOSFETs, is studied by means of chargepumping (CP) measurements. It is demonstrated that thanks to the chemical activation step, the quality of the bonded interface is remarkably good. Good agreement between values of front-interface threshold voltage determined from CP and I-V measurements is obtained.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:288

DOI:

10.26636/jtit.2007.3.831

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

SOI Si layer transfer wafer bonding interface traps electrical characterization charge-pumping

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

24 lip 2024

Data dodania obiektu:

27 sty 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

480

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/331

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Głuszko, Grzegorz; Łukasiak, Lidia; Kilchytska, Valeriya; Chung, Tsung Ming; Olbrechts, Benoit; Flandre, Denis, Charge-pumping characterization of SOI devices fabricated by means of wafer bonding over pre-patterned cavities, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3 24 lip 2024

Obiekty Podobne
Characterization of SOI MOSFETs by means of charge-pumping, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Głuszko, Grzegorz Łukasiak, Lidia Gottlob, Heinrich Lemme, Max Szostak, Sławomir

2007, nr 3
artykuł
Charge-pumping characterization of FILOX vertical MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Ashburn, Peter Głuszko, Grzegorz Łukasiak, Lidia Gili, Enrico

2007, nr 3
artykuł
Arbitrary waveform generator for charge-pumping, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Pióro, Zbigniew Iwanowicz, Marcin

2007, nr 3
artykuł
Direct extraction techniques of microwave small-signal model and technological parameters for sub-quarter micron SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle

2000, nr 3,4
artykuł
Comparison of microwave performances for sub-quarter micron fully- and partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle Dambrine, Gilles

2000, nr 3,4
artykuł
The Impact of Externally Applied Mechanical Stress on Analog and RF Performances of SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Raskin, Jean-Pierre Vanhoenacker-Janvier, Danielle Emam, Mostafa Houri, Samer

2009, nr 4
artykuł
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Pióro, Zbigniew

2004, nr 1
artykuł
Characterization of SOI fabrication process using gated-diode measurements and TEM studies, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Gibki, Jan Ratajczak, Jacek Kątcki, Jerzy

2000, nr 3,4
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji