Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Photoelectric measurements of the local values of the effective contact potential difference in the MOS structure, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Autor:

Kudła, Andrzej ; Brzezińska, Danuta ; Przewłocki, Henryk ; Borowicz, Lech

Data wydania:

2005, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

We have shown that using focused UV laser beam in photoelectric methods it is possible to measure local φMS values over the gate area of a single MOS structure. The φMS distribution is such that its values are highest far away from the gate edges regions, lower in the vicinity of gate edges and still lower in the vicinity of gate corners. Examples of measurement results and description of the measurement system are presented. The dependence of the φMS value on the exposure time and the power density of UV light is discussed.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:373

DOI:

10.26636/jtit.2005.1.283

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

photoelectrical methods MIS structure contact potential difference internal photoemission

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

12 cze 2024

Data dodania obiektu:

1 mar 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

164

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/423

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Kudła, Andrzej; Przewłocki, Henryk; Brzezińska, Danuta; Borowicz, Lech, Photoelectric measurements of the local values of the effective contact potential difference in the MOS structure, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1 12 cze 2024

Obiekty Podobne
Comparison of the barrier height measurements by the Powell method with the ΦMS measurement results, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Przewłocki, Henryk M. Rzodkiewicz, Witold Piskorski, Krzysztof Kudła, Andrzej

2005, nr 1
artykuł
Investigation of barrier height distributions over the gate area of Al-SiO2-Si structures, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Przewłocki, Henryk M. Piskorski, Krzysztof

2007, nr 3
artykuł
Variability of the local ΦMS values over the gate area of MOS devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Przewłocki, Henryk M. Massoud, Hisham Z. Kudła, Andrzej Brzezińska, Danuta

2005, nr 1
artykuł
Effects of stress annealing on the electrical and the optical properties of MOS devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Przewłocki, Henryk M. Rzodkiewicz, Witold Kudła, Andrzej Sawicki, Zbigniew

2005, nr 1
artykuł
Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Bieniek, Tomasz Kudła, Andrzej

2005, nr 1
artykuł
LPT and SLPT Measurement Methods of Flat-Band Voltage (VFB) in MOS Devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Przewłocki, Henryk M. Piskorski, Krzysztof

2009, nr 4
artykuł
Energy concepts involved in MOS characterization, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Engström, Olof Gutt, Tomasz Przewłocki, Henryk M.

2007, nr 2
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji