Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Critical modeling issues of SiGe semiconductor devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Autor:

Selberherr, Siegfried ; Palankovski, Vassil

Data wydania:

2004, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

We present the state-of-the-art in simulation of silicon-germanium (SiGe) semiconductor devices. The work includes a detailed comparison of device simulators and current transport models. Among the critical modeling issues addressed in the paper, special attention is focused on the description of the anisotropic majority/minority electron mobility in strained SiGe grown on Si. We use a direct approach to obtain scattering parameters (S-parameters) and other derived figures of merit of SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) by means of small-signal AC-analysis. Results from two-dimensional hydrodynamic simulations ofSiGe HBTs are presented in good agreement with measured data. The examples are chosen to demonstrate technologically important issues which can be addressed and solved by device simulation.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:508

DOI:

10.26636/jtit.2004.1.233

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

mobility modeling bandgap S-parameters small-signal simulation SiGe HBT numerical simulation

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

4 cze 2024

Data dodania obiektu:

10 mar 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

132

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/568

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Palankovski, Vassil; Selberherr, Siegfried, Critical modeling issues of SiGe semiconductor devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1 4 cze 2024

Obiekty Podobne
CVD growth of high speed SiGe HBTs using SiH4, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Landgren, Gunnar Radamson, Henry H. Grahn, Jan

2000, nr 3,4
artykuł
Silicon-germanium for ULSI, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Halll, Steve Eccleston, Bill

2000, nr 3,4
artykuł
Modeling SiGe-base HBT using APSYS 2000 - a 2D simulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Linkowski, Adam

2004, nr 1
artykuł
SiGe HBT wideband amplifier for millimeter wave applications, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 1

Boeck, Georg Noether, Nils Krcmar, Marko

2007, nr 1
artykuł
Modeling of negative bias temperature instability, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Selberherr, Siegfried Grasser, Tibor

2007, nr 2
artykuł
Photonic crystal fibre characterisation with the method of lines, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Marciniak, Marian Goncharenko, Igor A.

2004, nr 1
artykuł
Broadside coupled stripline with double-side UC-PBG structure, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 2

Kitliński, Marek Meissner, Paweł

2005, nr 2
artykuł
How to Model an Engaging Online Quiz? The Emotion Modeling Approach, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2022, nr 1

Zulkifli, Syazwanie Filzah binti Khairuddin, Muhammad Asyraf bin Waishiang, Cheah Jali, Nurfauza binti Bujang, Yanti Rosmunie binti

2022, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji