Tytuł:

The 100 W class A power amplifier for L-band T/R module, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2002, nr 1

Autor:

Gryglewski, Daniel ; Wojtasiak, Wojciech ; Sędek, Edward

Temat i słowa kluczowe:

modeling ; finite difference time domain method ; microwave transistors ; power transistors ; MESFETs

Opis:

In the paper a balanced high power amplifier with class A silicon bipolar transistors for L-band T/R module is described. The amplifier was designed for maximum power and minimum transmitance distortions. The obtained parameters of the amplifier are as follow: output power at 1 dB compression P1 dB > 49 dBm, linear gain jS21j > 10 dB, and transmitance deviations during the RF pulse: phase Darg(S21) < 0:9Æ and DPout < 0:2 dB.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Data wydania:

2002, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2002.1.102

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności