Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Adsorption properties of porous silicon, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Autor:

Beck, Romuald B. ; Grabiec, Piotr ; Gotszalk, Teodor ; Rangelow, Ivo W. ; Domański, Krzysztof ; Dębski, Tomasz

Data wydania:

2001, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

Porous silicon shows some interesting features for micromechanical applications. Some applications make use of its high surface-to-volume ratio. A capacitive gas or humidity sensor using the adsorption of gases on the porous surface can be easily fabricated. However an opportunity for more sensitive device is given by micromechanical structure. In this paper we report on the piezoresistive cantilever beam structure with porous silicon adsorbing spot as a gas sensor.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:688 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2001.1.41

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

cantilever beam porous silicon gas sensor

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

25 lut 2026

Data dodania obiektu:

27 kwi 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

591

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/764

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Domański, Krzysztof; Grabiec, Piotr; Gotszalk, Teodor; Beck, Romuald B.; Dębski, Tomasz; Rangelow, Ivo W., Adsorption properties of porous silicon, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1 25 lut 2026

Obiekty Podobne
Piezoresistive sensors for atomic force microscopy – numerical simulations by means of virtual wafer fab, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Grabiec, Piotr Rangelow, Ivo W. Domański, Krzysztof Barth, Wolfgang Dębski, Tomasz

2001, nr 1
artykuł
Diagnostics of micro- and nanostructure using the scanning probe microscopy, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Grabiec, Piotr Czarnecki, Piotr Janus, Paweł Gotszalk, Teodor Rangelow, Ivo W. Radojewski, Jacek Szeloch, Roman F. Marendziak, Andrzej

2005, nr 1
artykuł
Fabrication and properties of the field emission array with self-alignment gate electrode, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Grabiec, Piotr Zaborowski, Michał Rangelow, Ivo W. Barth, Wolfgang Dębski, Tomasz Hudek, Peter Biehl, Steffen Studzińska, Krystyna Kostic, Ivan Mitura, Stanisław

2001, nr 1
artykuł
Application of scanning shear-force microscope for fabrication of nanostructures, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Sikora, Andrzej Gotszalk, Teodor Rangelow, Ivo W. Sankowska, Anna

2005, nr 1
artykuł
A versatile tool for extraction of MOSFETs parameters, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Tomaszewski, Daniel Grabiec, Piotr Marczewski, Jacek Domański, Krzysztof Kucharski, Krzysztof Kociubiński, Andrzej

2005, nr 1
artykuł
Ultrathin oxynitride films for CMOS technology, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B.

2004, nr 1
artykuł
Oxidation kinetic sof silicon strained by silicon germanium, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Beck, Romuald B. Grabowski, Jarosław

2007, nr 3
artykuł
The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Beck, Romuald B. Głuszko, Grzegorz Kalisz, Małgorzata

2010, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji