Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Comparison of gate leakage current components in metal-insulator-semiconductor structures with high-k gate dielectrics, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Autor:

Jakubowski, Andrzej ; Majkusiak, Bogdan ; Korwin-Pawłowski, Michał ; Janik, Tomasz

Data wydania:

2001, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

Numerical simulations of the gate leakage current in metal-insulator-semiconductor (MIS) structures based on the transfer matrix approach were carried out. They show contribution of different components of this current in MIS structures with best known high-k dielectrics such as Ta2O5 and TiO2. The comparison of the gate leakage current in MIS structures with SiO2 layer as well Ta2O5 and TiO2 layers is presented as well. Additionally, the minimum Si electron affinity to a gate dielectric which allows to preserve given level of the gate leakage current is proposed.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:691 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2001.1.38

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

high-k di-electrics MIS structures ultrathin dielectrics

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

20 maj 2024

Data dodania obiektu:

27 kwi 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

292

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/767

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Janik, Tomasz; Jakubowski, Andrzej; Majkusiak, Bogdan; Korwin-Pawłowski, Michał, Comparison of gate leakage current components in metal-insulator-semiconductor structures with high-k gate dielectrics, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1 20 maj 2024

Obiekty Podobne
Challenges in ultrathin oxide layers formation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Łukasiak, Lidia Korwin-Pawłowski, Michał

2001, nr 1
artykuł
Scattering mechanisms in MOS/SOI devices with ultrathin semiconductor layers, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Walczak, Jakub Majkusiak, Bogdan

2004, nr 1
artykuł
Electron mobility and drain current in strained-Si MOSFET, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Walczak, Jakub Majkusiak, Bogdan

2007, nr 3
artykuł
Optimization of selectedp arameters of SiGe HBT transistors, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Jakubowski, Andrzej Zaręba, Agnieszka

2000, nr 3,4
artykuł
History of Semiconductors, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia

2010, nr 1
artykuł
Ultrathin oxynitride films for CMOS technology, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B.

2004, nr 1
artykuł
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Pióro, Zbigniew

2004, nr 1
artykuł
Modeling SiGe-base HBT using APSYS 2000 - a 2D simulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Linkowski, Adam

2004, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji