Tytuł:

Comparison of 4H-SiC and 6H-SiC MOSFET I-V characteristic ssimulated with Silvaco Atlas and Crosslight Apsys, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Autor:

Jakubowski, Andrzej ; Korwin-Pawlowski, Michael L. ; Stęszewski, Jędrzej

Temat i słowa kluczowe:

silicon carbide ; Silvaco Atlas ; 4H-SiC ; SiC MOSFET ; 6H-SiC ; Crosslight Apsys

Opis:

A set of physical models describing silicon carbide with fitting parameters is proposed. The theoretical I-V output and transfer characteristics and parameters of MOS transistors were calculated using Silvaco Atlas and Crosslight Apsys semiconductor device simulation environments.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Data wydania:

2007, nr 3

Typ zasobu:

artykuł

Format:

application/pdf

DOI:

10.26636/jtit.2007.3.837

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności