Wystąpił błąd, zgłoszenie nie zostało wysłane. Sprawdź poprawność danych lub spróbuj ponownie później.
Odmowa wysyłania. Niepoprawny tekst z obrazka.
Odmowa wysyłania. Weryfikacja reCAPTCHA nie powiodła się.
Zgłoś błąd związany z obiektem: Composition and electrical properties of ultra-thin SiOxNy layers formed by rf plasma nitrogen implantation/plasma oxidation processes, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3