Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Spectroscopic Ellipsometry Analysis of Rapid Thermal Annealing Effecton MBE Grown GaAs1−x −Nx, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 1

Autor:

Chtourou, Radhouane ; Rihani, Jaouher ; Sedrine, Nebiha Ben ; Harmand, Jean-Christophe

Data wydania:

2009, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

We report on the effect of rapid thermal annealing (RTA) on GaAs1−x−Nx layers, grown by molecular beam epitaxy (MBE), using room temperature spectroscopic ellipsometry (SE). A comparative study was carried out on a set of GaAs1−x−Nx as-grown and the RTA samples with small nitrogen content (x = 0.1%, 0.5% and 1.5%). Thanks to the standard critical point model parameterization of the GaAs1−x−Nx extracted dielectric functions, we have determined the RTA effect, and its nitrogen dependence. We have found that RTA affects more samples with high nitrogen content. In addition, RTA is found to decrease the E1 energy nitrogen blueshift and increase the broadening parameters of E1, E1+Δ1, E′0 and E2 critical points.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:94 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2009.1.914

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

spectroscopic ellipsometry semiconductors rapid thermal annealing optical constants optoelectronic device GaAs11−x −Nx

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

25 lut 2026

Data dodania obiektu:

10 gru 2009

Liczba wyświetleń treści obiektu:

479

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/111

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Sedrine, Nebiha Ben; Rihani, Jaouher; Harmand, Jean-Christophe; Chtourou, Radhouane, 2009 nr 1, Spectroscopic Ellipsometry Analysis of Rapid Thermal Annealing Effecton MBE Grown GaAs1−x −Nx, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009 nr 1 25 lut 2026

Obiekty Podobne
Ellipsometric spectroscopy studies of compaction and decompaction of Si-SiO2 systems, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Rzodkiewicz, Witold Panas, Andrzej

2007, nr 3
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji