Faynot, Olivier ; Ohata, Akiko ; Ritzenthaler, Romain ; Cristoloveanu, Sorin
Temat i słowa kluczowe:mobility models ; SOI ; coupling effect ; thin gate oxide ; multiple-gate ; drain-induced virtual substrate biasing ; ultra-thin silicon ; gate-induced floating body effect ; MOSFET
Opis: Wydawca:Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa
Data wydania: Typ zasobu: Format: DOI: ISSN: eISSN: Źródło:Journal of Telecommunications and Information Technology
Język: Prawa: