Przewłocki, Henryk M. ; Rzodkiewicz, Witold ; Kudła, Andrzej ; Sawicki, Zbigniew
Temat i słowa kluczowe:MOS ; Si-SiO2 system ; refractive index ; electrical parameters ; stress
Opis: Wydawca:Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa
Data wydania: Typ zasobu: Format: DOI: ISSN: eISSN: Źródło:Journal of Telecommunications and Information Technology
Język: Prawa: