Wystąpił błąd, zgłoszenie nie zostało wysłane. Sprawdź poprawność danych lub spróbuj ponownie później.
Odmowa wysyłania. Niepoprawny tekst z obrazka.
Odmowa wysyłania. Weryfikacja reCAPTCHA nie powiodła się.
Zgłoś błąd związany z obiektem: The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1