Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: High-temperature instability processes in SOI structures and MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Autor:

Nazarov, Alexei N. ; Kilchytska, V. I. ; Colinge, J. P. ; Vovk, Ja. N.

Data wydania:

2001, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

The paper reviews the problems related to BOX high-temperature instability in SOI structures and MOSFETs. The methods of bias-temperature research applied to SOI structures and SOI MOSFETs are analysed and the results of combined electrical studies of ZMR, and SIMOX SOI structures are presented. The studies are focused mainly on electrical discharging processes in the BOX at high temperature and its link with new instability phenomena such as high-temperature kink effects in SOI MOSFETs.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:682 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2001.1.47

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

SOI MOSFET SIMOX ZMR high-temperature instability

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

20 maj 2024

Data dodania obiektu:

26 kwi 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

163

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/758

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Nazarov, Alexei N.; Kilchytska, V. I.; Vovk, Ja. N.; Colinge, J. P., High-temperature instability processes in SOI structures and MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1 20 maj 2024

Obiekty Podobne
High-field current transport and charge trapping in buried oxide of SOI materials under high-field electron injection, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Kilchytska, Valeriya Houk, Yuri Nazarov, Alexei N.

2004, nr 1
artykuł
On possibility to extend the operation temperature range of SOI sensors with polysilicon piezoresistors, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Kogut, Igor Maryamova, Inna Lavitska, Elena Khoverko, Yuri Druzhinin, Anatoly

2001, nr 1
artykuł
Recent developments in vertical MOSFETs and SiGe HBTs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Buiu, Octavian Hall, Stephen Ashburn, Peter Groot de, Kees

2004, nr 1
artykuł
Direct extraction techniques of microwave small-signal model and technological parameters for sub-quarter micron SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle

2000, nr 3,4
artykuł
Comparison of microwave performances for sub-quarter micron fully- and partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle Dambrine, Gilles

2000, nr 3,4
artykuł
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Pióro, Zbigniew

2004, nr 1
artykuł
A model of partially-depleted SOI MOSFETs in the subthreshold range, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Domański, Krzysztof

2001, nr 1
artykuł
Standardization of the compact model coding: non-fully depleted SOI MOSFET example, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Grabiński, Władysław Lemaitre, Laurent

2005, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji