Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: SiGe HBT wideband amplifier for millimeter wave applications, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 1

Autor:

Boeck, Georg ; Noether, Nils ; Krcmar, Marko

Data wydania:

2007, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

A wideband amplifier up to 50 GHz has been implemented in a 0.25 μm, 200 GHz ft SiGe BiCMOS technology. Die size was 0.7×0.73 mm2. The two-stage design achieves more than 11 dB gain over the whole 20 to 50 GHz band. Gain maximum was 14.2 dB at 47.5 GHz. Noise figure was lower than 9 dB up to 34 GHz and a current of 30 mA was drawn from a 4 V supply. To the author’s best knowledge this is the highest gain bandwidth product of a monolithic SiGe HBT amplifier ever reported.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:230

DOI:

10.26636/jtit.2007.1.742

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

HBT wideband amplifier millimeter wave bipolar integrated circuits SiGe

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

25 cze 2024

Data dodania obiektu:

7 sty 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

1 284

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/264

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Krcmar, Marko; Noether, Nils; Boeck, Georg, SiGe HBT wideband amplifier for millimeter wave applications, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 1 25 cze 2024

Obiekty Podobne
CVD growth of high speed SiGe HBTs using SiH4, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Landgren, Gunnar Radamson, Henry H. Grahn, Jan

2000, nr 3,4
artykuł
Silicon-germanium for ULSI, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Halll, Steve Eccleston, Bill

2000, nr 3,4
artykuł
Modeling SiGe-base HBT using APSYS 2000 - a 2D simulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Linkowski, Adam

2004, nr 1
artykuł
Critical modeling issues of SiGe semiconductor devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Selberherr, Siegfried Palankovski, Vassil

2004, nr 1
artykuł
SiGe field effect transistors – performance and applications, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Parker, Evan H. C. Whall, Terrence E.

2001, nr 1
artykuł
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Pióro, Zbigniew

2004, nr 1
artykuł
Modeling of the inverse base width modulation effect in HBT transistor with graded SiGe base, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Zaręba, Agnieszka

2007, nr 3
artykuł
Process and device requirements for mixed-signal integrated circuits in broadband networking, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Iniewski, Krzysztof Voinigescu, Sorin P. Syrzycki, Marek

2004, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji