Closed-form 2D modeling of sub-100 nm MOSFETs in the subthreshold regime, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Nazwa wydania	Data
Osthaug, Jarle; Fjeldly, Tor A.; Iniguez, Benjamin, Closed-form 2D modeling of sub-100 nm MOSFETs in the subthreshold regime, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1	25 lut 2026

Obiekt

Tytuł: Closed-form 2D modeling of sub-100 nm MOSFETs in the subthreshold regime, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Autor:

Data wydania:

Typ zasobu:

Opis:

Wydawca:

Format:

Identyfikator zasobu:

DOI:

ISSN:

eISSN:

Źródło:

Język:

Prawa:

Temat i słowa kluczowe:

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

Data dodania obiektu:

Liczba wyświetleń treści obiektu:

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

podobne w FBC

Cytowanie

Dane kontaktowe

Adres

Telefon

E-Mail

Odwiedź nas!

Mapa strony

Strona główna

Kolekcje

Indeksy

O Projekcie

Historia przeglądania

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy udostępnia 2 325 obiektów cyfrowych

Obiekt

Tytuł: Closed-form 2D modeling of sub-100 nm MOSFETs in the subthreshold regime, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Autor:

Data wydania:

Typ zasobu:

Opis:

Wydawca:

Format:

Identyfikator zasobu:

DOI:

ISSN:

eISSN:

Źródło:

Język:

Prawa:

Temat i słowa kluczowe:

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

Data dodania obiektu:

Liczba wyświetleń treści obiektu:

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

podobne w FBC

Cytowanie

Dane kontaktowe

Adres

Telefon

E-Mail

Odwiedź nas!