Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Closed-form 2D modeling of sub-100 nm MOSFETs in the subthreshold regime, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Autor:

Iniguez, Benjamin ; Fjeldly, Tor A. ; Osthaug, Jarle

Data wydania:

2004, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

Closed-form 2D modeling of deep-submicron and sub-100 nm MOSFETs is explored using a conformal mapping technique where the 2D Poisson equation in the depletion regions is separated into a 1D long-channel case and a 2D Laplace equation. The 1D solution defines the boundary potential values for the Laplacian, which in turn provides a 2D correction of the channel potential. The model has been tested for classical MOSFETs with gate lengths in the range 200{250 nm, and for a super-steep retrograde MOSFET with a gate length of 70 nm. With a minimal parameter set, the present modeling reproduces both qualitatively and qualitatively the experimental data obtained for such devices.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:514

DOI:

10.26636/jtit.2004.1.227

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

leakage current two-dimensional devicemodeling threshold voltage subthresholdregime sub-100 nm MOSFET conformal mapping

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

4 cze 2024

Data dodania obiektu:

10 mar 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

189

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/574

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Osthaug, Jarle; Fjeldly, Tor A.; Iniguez, Benjamin, Closed-form 2D modeling of sub-100 nm MOSFETs in the subthreshold regime, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1 4 cze 2024
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji