Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: New approach to power semiconductor devices modeling, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Autor:

Napieralska, Małgorzata ; Napieralski, Andrzej

Data wydania:

2004, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

The main problems occurring during high power device modeling are discussed in this paper. Unipolar and bipolar device properties are compared and the problems concerning high time-constant values related to the diffusion phenomena in the large base are explained. Traditional and novel concepts of power device simulation are presented. In order to make accurate and modern semiconductor device models widely accessible, a website has been designed and made available to Internet users, allowing them to perform simulations of electronic circuits containing high power semiconductor devices. In this software, a new distributed model of power diode has been included. Together with the existing VDMOS macromodel library, the presented approach can facilitate the design process of power circuits. In the future, distributed models of IGBT, BJT and thyristor will be added.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:515

DOI:

10.26636/jtit.2004.1.226

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

SPICE power device modeling VDMOS web-based simulation IGBT circuit simulation PIN diode

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

4 cze 2024

Data dodania obiektu:

10 mar 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

603

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/575

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Napieralski, Andrzej; Napieralska, Małgorzata, New approach to power semiconductor devices modeling, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1 4 cze 2024

Obiekty Podobne
An accurate prediction of high-frequency circuit behaviour, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Yoshitomi, Sadayuki Kokatsu, Hideyuki Kojima, Kenji Kimijima, Hideki

2005, nr 1
artykuł
2024, nr 2, JTIT-artykuły
2024, nr 2, JTIT-artykuły
Reconfigurable MIMO Antenna for IoT Wireless Applications Controlled by Embedded System, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2024, nr 2

Kumar, Naresh Kumar, Pradeep Sharma, Manish

2024
artykuł
A versatile tool for extraction of MOSFETs parameters, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Tomaszewski, Daniel Grabiec, Piotr Marczewski, Jacek Domański, Krzysztof Kucharski, Krzysztof Kociubiński, Andrzej

2005, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji