Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Reliability of deep submicron MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Autor:

Balestra, Francis

Data wydania:

2001, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

In this work, a review of the reliability of n- and p-channel Si and SOI MOSFETs as a function of gate length and temperature is given. The main hot carrier effects and degradations are compared for bulk and SOI devices in a wide range of gate length, down to deep submicron. The worst case aging, device lifetime and maximum drain bias that can be applied are addressed. The physical mechanisms and the emergence of new phenomena at the origin of the degradation are studied for advanced MOS transistors. The impact of the substrate bias is also outlined.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:681 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2001.1.48

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

reliability bulk MOSFETs deep submicrontransistors SOI devices

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

20 maj 2024

Data dodania obiektu:

26 kwi 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

245

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/757

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Balestra, Francis, Reliability of deep submicron MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1 20 maj 2024

Obiekty Podobne
Direct extraction techniques of microwave small-signal model and technological parameters for sub-quarter micron SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle

2000, nr 3,4
artykuł
Comparison of microwave performances for sub-quarter micron fully- and partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle Dambrine, Gilles

2000, nr 3,4
artykuł
SOI nanodevices and materials for CMOS ULSI, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Balestra, Francis

2007, nr 2
artykuł
A new algorithm for calculating the most reliable pair of disjoint paths in a network, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2006, nr 4

Craveirinha, Jose Violante, Artur Gomes, Teresa

2006, nr 4
artykuł
Evaluation of Reliability of Mobile ICT Services, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2021, nr 1

Kowalewski, Marian Kobus, Ryszard Sędek, Tomasz

2021, nr 1
artykuł
Low frequency noise in advanced Si bulk and SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Balestra, Francis Ghibaudo, Gérard Jomaah, Jalal

2005, nr 1
artykuł
Reliability of MIS transistors with plasma deposited Al2O3 gate dielectric film, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Szmidt, Jan Werbowy, Aleksander Dusiński, Emil Zdunek, Krzysztof

2001, nr 1
artykuł
Reliability of Communication Systems Used in Offshore Wind Farms, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2022, nr 4

Uhl, Tadeus

2022, nr 4
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji