Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Characteristics of Measured Rainfall Rate at Ogbomoso, Nigeria for Microwave Applications, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2011, nr 2

Autor:

Semire, F. A. ; Raji, T.I.

Data wydania:

2011, nr 2

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

Characteristics of rainfall rate useful in the estimation of attenuation due to rain are presented. Rain data collected at Ogbomoso between January–October, 2009 were used in the analysis. Result shows that power law relationship exists between the equiprobable rain rates of two different integration times. The value of conversion factor CE and CR obtained for Ogbomoso are 0.28(60) and 0.64(90) respectively. Our result then shows that different conversion factor is required for different location even within the same climatic region.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852 ; oai:bc.itl.waw.pl:1175

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

rainfall Ogbomoso characteristics

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

24 kwi 2013

Data dodania obiektu:

24 kwi 2013

Liczba wyświetleń treści obiektu:

216

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/1480

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Semire, F. A.; Raji, T.I., Characteristics of Measured Rainfall Rate at Ogbomoso, Nigeria for Microwave Applications, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2011, nr 2 24 kwi 2013

Obiekty Podobne
Observation of WiMAX Radio Parameters to Enhance Spectrum Utilization in Mixed Environment, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2018, nr 1

Kliks Adrian Musznicki Bartosz Kołodziejski Michał Kowalik Karol Kryszkiewicz Paweł

2018
artykuł
Technology of MISFET with SiO2/BaTiO3 System as a Gate Insulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Szmidt, Jan Firek, Piotr

2009, nr 4
artykuł
Electrical characterization of ISFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Tomaszewski, Daniel Jaroszewicz, Bohdan Pijanowska, Dorota G. Grabiec, Piotr Zaborowski, Michał Yang, Chia-Ming

2007, nr 3
artykuł
The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Beck, Romuald B. Głuszko, Grzegorz Kalisz, Małgorzata

2010, nr 1
artykuł
Novel Method of Improving Electrical Properties of Thin PECVD Oxide Films by Fluorination of Silicon Surface Region by RIE in RF CF4 Plasma, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Beck, Romuald B. Głuszko, Grzegorz Kalisz, Małgorzata

2010, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji