Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Autor:

Jakubowski, Andrzej ; Łukasiak, Lidia ; Pióro, Zbigniew

Data wydania:

2004, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

The paper briefly presents the history of microelectronics and the limitations of its further progress, as well as possible solutions. The discussion includes the consequences of the reduction of gate-stack capacitance and difficulties associated with supply-voltage scaling, minimization of parasitic resistance, increased channel doping and small size. Novel device architectures (e.g. SON, double-gate transistor) and the advantages of silicon-germanium are considered, too.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:507

DOI:

10.26636/jtit.2004.1.234

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

SiGe SOI MOSFET scaling

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

4 cze 2024

Data dodania obiektu:

10 mar 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

204

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/567

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Łukasiak, Lidia; Jakubowski, Andrzej; Pióro, Zbigniew, Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1 4 cze 2024

Obiekty Podobne
Modeling SiGe-base HBT using APSYS 2000 - a 2D simulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Linkowski, Adam

2004, nr 1
artykuł
Modeling of the inverse base width modulation effect in HBT transistor with graded SiGe base, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Zaręba, Agnieszka

2007, nr 3
artykuł
DC and low-frequency noise analysis for buried SiGe channel metamorphic PMOSFETs with high Ge content, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Parker, Evan H. C. Whall, Terence E. König, Ulf Känel, von Hans Hoeck, Georg Herzog, Hans-Joest Myronov, Maksym Durov, Sergiy Hackbarth, Thomas Mironov, Oleg A.

2005, nr 1
artykuł
CVD growth of high speed SiGe HBTs using SiH4, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Landgren, Gunnar Radamson, Henry H. Grahn, Jan

2000, nr 3,4
artykuł
SiGe field effect transistors – performance and applications, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Parker, Evan H. C. Whall, Terrence E.

2001, nr 1
artykuł
Silicon-germanium for ULSI, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Halll, Steve Eccleston, Bill

2000, nr 3,4
artykuł
SiGe HBT wideband amplifier for millimeter wave applications, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 1

Boeck, Georg Noether, Nils Krcmar, Marko

2007, nr 1
artykuł
Critical modeling issues of SiGe semiconductor devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Selberherr, Siegfried Palankovski, Vassil

2004, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji