Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: SiGe field effect transistors – performance and applications, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Autor:

Parker, Evan H. C. ; Whall, Terrence E.

Data wydania:

2001, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

Recent and encouraging developments in Schottky and MOS gated Si/SiGe field effect transistors are surveyed. Circuit applications are now beginning to be investigated. The authors discuss some of this work and consider future prospects for the role of SiGe field effect devices inmobile communications.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:680 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2001.1.49

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

SiGe circuits FETs epitaxy

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

20 maj 2024

Data dodania obiektu:

26 kwi 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

577

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/756

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Whall, Terrence E.; Parker, Evan H. C., SiGe field effect transistors – performance and applications, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1 20 maj 2024

Obiekty Podobne
CVD growth of high speed SiGe HBTs using SiH4, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Landgren, Gunnar Radamson, Henry H. Grahn, Jan

2000, nr 3,4
artykuł
SiGe HBT wideband amplifier for millimeter wave applications, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 1

Boeck, Georg Noether, Nils Krcmar, Marko

2007, nr 1
artykuł
DC and low-frequency noise analysis for buried SiGe channel metamorphic PMOSFETs with high Ge content, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Parker, Evan H. C. Whall, Terence E. König, Ulf Känel, von Hans Hoeck, Georg Herzog, Hans-Joest Myronov, Maksym Durov, Sergiy Hackbarth, Thomas Mironov, Oleg A.

2005, nr 1
artykuł
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Pióro, Zbigniew

2004, nr 1
artykuł
Silicon-germanium for ULSI, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Halll, Steve Eccleston, Bill

2000, nr 3,4
artykuł
Modeling SiGe-base HBT using APSYS 2000 - a 2D simulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Linkowski, Adam

2004, nr 1
artykuł
Modeling of the inverse base width modulation effect in HBT transistor with graded SiGe base, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Zaręba, Agnieszka

2007, nr 3
artykuł
Critical modeling issues of SiGe semiconductor devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Selberherr, Siegfried Palankovski, Vassil

2004, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji