Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Fabrication and properties of the field emission array with self-alignment gate electrode, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Autor:

Jakubowski, Andrzej ; Grabiec, Piotr ; Zaborowski, Michał ; Rangelow, Ivo W. ; Barth, Wolfgang ; Dębski, Tomasz ; Hudek, Peter ; Biehl, Steffen ; Studzińska, Krystyna ; Kostic, Ivan ; Mitura, Stanisław

Data wydania:

2001, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

A new method for the fabrication of field emission arrays (FEA) based on bulk/surface silicon micromachining and diamond-like-carbon (DLC) coating was developed. A matrix of self-aligned electron field emitters is formed in silicon by mean anisotropic etching in alkali solution of the front silicon film through micro holes opened in silicon oxide layer. The field emission of the fabricated emitter tips is enhanced by a diamond-like-carbon film formed by chemical vapor deposition on the microtips. Back side contacts are formed by metal patterning. Detailed Raman, Auger and TEM investigations of the deposited DLC films (nanocrystalline diamond smaller than 10 nm) will be presented. In this paper we discuss the problems related to the development of field emission arrays technology. We also demonstrate examples of devices fabricated according to those technologies.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:687 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2001.1.42

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

field emission display field emission array self- alignment technolog diamond-like-carbon layers emission silicon micromachining

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

20 maj 2024

Data dodania obiektu:

26 kwi 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

186

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/763

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Barth, Wolfgang; Dębski, Tomasz; Rangelow, Ivo W., Fabrication and properties of the field emission array with self-alignment gate electrode, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1 20 maj 2024

Obiekty Podobne
Piezoresistive sensors for atomic force microscopy – numerical simulations by means of virtual wafer fab, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Grabiec, Piotr Rangelow, Ivo W. Domański, Krzysztof Barth, Wolfgang Dębski, Tomasz

2001, nr 1
artykuł
Adsorption properties of porous silicon, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Beck, Romuald B. Grabiec, Piotr Gotszalk, Teodor Rangelow, Ivo W. Domański, Krzysztof Dębski, Tomasz

2001, nr 1
artykuł
Si-Based Electrodes for Potentiometric Measurements of Aqueous Solutions, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Tomaszewski, Daniel Jaroszewicz, Bohdan Grabiec, Piotr Zaborowski, Michał

2009, nr 4
artykuł
Diagnostics of micro- and nanostructure using the scanning probe microscopy, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Grabiec, Piotr Czarnecki, Piotr Janus, Paweł Gotszalk, Teodor Rangelow, Ivo W. Radojewski, Jacek Szeloch, Roman F. Marendziak, Andrzej

2005, nr 1
artykuł
Electrical characterization of ISFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Tomaszewski, Daniel Jaroszewicz, Bohdan Pijanowska, Dorota G. Grabiec, Piotr Zaborowski, Michał Yang, Chia-Ming

2007, nr 3
artykuł
Application of scanning shear-force microscope for fabrication of nanostructures, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Sikora, Andrzej Gotszalk, Teodor Rangelow, Ivo W. Sankowska, Anna

2005, nr 1
artykuł
Optimization of selectedp arameters of SiGe HBT transistors, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Jakubowski, Andrzej Zaręba, Agnieszka

2000, nr 3,4
artykuł
History of Semiconductors, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia

2010, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji