Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Impact of Crosstalk into High Resistivity Silicon Substrate on the RF Performance of SOI MOSFET, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 4

Autor:

Raskin, Jean-Pierre ; Neve, César Roda ; Gharsallah, Ali ; Ali, Khaled Ben

Data wydania:

2010, nr 4

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

Crosstalk propagation through silicon substrate is a serious limiting factor on the performance of the RF devices and circuits. In this work, substrate crosstalk into high resistivity silicon substrate is experimentally analyzed and the impact on the RF behavior of silicon-on-insulator (SOI) MOS transistors is discussed. The injection of a 10 V peak-to-peak single tone noise signal at a frequency of 3 MHz ( fnoisfnoise) generates two sideband tones of −56 dBm separated by fnoise from the RF output signal of a partially depleted SOI MOSFET at 1 GHz and 4.1 dBm. The efficiency of the introduction of a trap-rich polysilicon layer located underneath the buried oxide (BOX) of the high resistivity (HR) SOI wafer in the reduction of the sideband noise tones is demonstrated. An equivalent circuit to model and analyze the generation of these sideband noise tones is proposed.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:1072 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2010.4.1101

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

crosstalk high resistivity silicon substrate polysilicon mixing products passivation layer

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

28 sie 2024

Data dodania obiektu:

27 mar 2012

Liczba wyświetleń treści obiektu:

156

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/1191

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Ali, Khaled Ben; Neve, César Roda; Gharsallah, Ali; Raskin, Jean-Pierre, Impact of Crosstalk into High Resistivity Silicon Substrate on the RF Performance of SOI MOSFET, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 4 28 sie 2024

Obiekty Podobne
SOI Technology: An Opportunity for RF Designers?, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Raskin, Jean-Pierre

2009, nr 4
artykuł
On-wafer wideband characterization: a powerful tool for improving the IC technologies, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Raskin, Jean-Pierre Lederer, Dimitri

2007, nr 2
artykuł
Grain boundary effect on the anisotropy piezoresistance of laser-recrystallized polysilicon layers in SOI-structures, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Druzhinin, Anatoly Pankov, Yury

2001, nr 1
artykuł
Direct extraction techniques of microwave small-signal model and technological parameters for sub-quarter micron SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle

2000, nr 3,4
artykuł
Comparison of microwave performances for sub-quarter micron fully- and partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle Dambrine, Gilles

2000, nr 3,4
artykuł
The Impact of Externally Applied Mechanical Stress on Analog and RF Performances of SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Raskin, Jean-Pierre Vanhoenacker-Janvier, Danielle Emam, Mostafa Houri, Samer

2009, nr 4
artykuł
Charge-pumping characterization of SOI devices fabricated by means of wafer bonding over pre-patterned cavities, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Raskin, Jean-Pierre Głuszko, Grzegorz Łukasiak, Lidia Olbrechts, Benoit Kilchytska, Valeriya Flandre, Denis Chung, Tsung Ming

2007, nr 3
artykuł
Properties and benefits of fluorine in silicon and silicon-germanium devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Ashburn, Peter Mubarek El, Huda A. W.

2007, nr 2
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji