Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Roadmap for SiC power devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Autor:

Bakowski, Mietek

Data wydania:

2000, nr 3,4

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

Silicon carbide (SiC) power devices offer significant benefits of improved efficiency, dynamic performance and reliability of electronic and electric systems. The challenges and prospects of SiC power device development are reviewed considering different device types. A close correlation between an exponential increase of current handling capability during recent five years and improvement in substrate quality is demonstrated. The voltage range of silicon and SiC unipolar and bipolar power devices with respect to the on-state voltage is determined based on device simulation. 4H-SiC unipolar devices are potentially superior to all silicon devices up to 10 kV. 4H-SiC unipolar devices are superior to all SiC bipolar devices up to 8 9 kV. The low end of SiC unipolar devices is determined to be around 200 V provided substrate resistance is reduced by thinning the substrate down to 100 mm. The influence of reduced channel mobility on the specific on-state resistance of 4H-SiC DMOSFETs and UMOSFETs is shown. It has been demonstrated that 6H-SiC DMOSFETs could be a better choice compared to 4H-SiC MOSFETs in the voltage range below 600 V utilising better channel mobility obtainable so far on 6H-SiC polytype. An impact of super junction (SJ) concept on silicon and SiC MOSFET specific on-resistance limits is demonstrated.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:1640 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2000.3-4.30

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

applications developmenttrends SiC power devices super junctiondevices unipolar and bipolar SiC devices current handling capability simulations system benefits status roadmap for

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

16 maj 2024

Data dodania obiektu:

20 maj 2014

Liczba wyświetleń treści obiektu:

2 802

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/1840

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Bakowski, Mietek, Roadmap for SiC power devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4 16 maj 2024

Obiekty Podobne
Prospects and Development of Vertical Normally-off JFETs in SiC, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Bakowski, Mietek

2009, nr 4
artykuł
FDTD modeling and experimental verification of electromagnetic power dissipated in domestic microwave ovens, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2003, nr 1

Kopyt, Paweł Celuch-Marcysiak, Małgorzata

2003, nr 1
artykuł
Empowering the mobile worker by wearable computing – wearIT@work, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2006, nr 2

Lawo, Michael Boronowsky, Michael Knackfuß, Peter Herzog, Otthein

2006, nr 2
artykuł
Simulations of the MAC Layer in the LoRaWAN Networks, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2020, nr 2

Zwierzykowski, Piotr Piechowiak, Maciej

2020, nr 2
artykuł
High-Frequency Power Amplitude Modulators with Class-E Tuned Amplifiers, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2008, nr 4

Mikołajewski, Mirosław Modzelewski, Juliusz

2008, nr 4
artykuł
2023, nr 3, JTIT-artykuły
2023, nr 3, JTIT-artykuły
Design and Analysis of a Low-profile Microstrip Antenna for 5G Applications using AI-based PSO Approach, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2023, nr 3

Bhattacharya, Ankan Mohammed, Firdous Hussain Pathak, Narendra Nath Kundu, Krishanu

2023, nr 3
artykuł
Health applications and grid technologies. Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 4

Salloum, Fadi-Sotiris

2005, nr 4
czasopismo
Advanced compact modeling of the deep submicron technologies, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Grabiński, Władysław Bucher, Matthias Sallese, Jean-Michel Krummenacher, Francçis

2000, nr 3,4
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji