Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Reliability of MIS transistors with plasma deposited Al2O3 gate dielectric film, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Autor:

Szmidt, Jan ; Werbowy, Aleksander ; Dusiński, Emil ; Zdunek, Krzysztof

Data wydania:

2001, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

The paper presents the parameters of MIS transistors with plasma deposited thin film aluminum oxide gate insulator. Al2O3 films were synthesized by means of the lowenergy, low-temperature reactive pulse plasma (RPP) method. Investigated transistors, with channel width to length (W/L) ratios of 200/10 [mm/mm] and 200/20 [mm/mm] were manufactured in a standard microelectronic technological laboratory. In order to determine the most important parameters of produced devices there were measured their electrical characteristics. The distribution of the threshold voltage values was studied on a representative set of over two hundred structures.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:692 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2001.1.37

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

reliability MIS transistor Al2O3 films RPP method

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

25 lut 2026

Data dodania obiektu:

27 kwi 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

329

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/768

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Szmidt, Jan; Werbowy, Aleksander; Dusiński, Emil; Zdunek, Krzysztof, Reliability of MIS transistors with plasma deposited Al2O3 gate dielectric film, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1 25 lut 2026

Obiekty Podobne
Influence of the deposition process parameters on electronic properties of BN films obtained by means of RF PACVD, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Szmidt, Jan Werbowy, Aleksander Kwietniewski, Norbert Firek, Piotr

2007, nr 3
artykuł
Properties of Al contacts to Si surface exposed in the course of plasma etching of previously grown nanocrystalline c-BN lm, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Szmidt, Jan Werbowy, Aleksander Firek, Piotr Olszyna, Andrzej R.

2005, nr 1
artykuł
A new algorithm for calculating the most reliable pair of disjoint paths in a network, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2006, nr 4

Craveirinha, Jose Violante, Artur Gomes, Teresa

2006, nr 4
artykuł
Reliability of deep submicron MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Balestra, Francis

2001, nr 1
artykuł
Evaluation of Reliability of Mobile ICT Services, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2021, nr 1

Kowalewski, Marian Kobus, Ryszard Sędek, Tomasz

2021, nr 1
artykuł
Technology of MISFET with SiO2/BaTiO3 System as a Gate Insulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Szmidt, Jan Firek, Piotr

2009, nr 4
artykuł
Reliability of line-of-sight radio-relay systems, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2006, nr 1

Bogucki, Jan Wielowieyska, Ewa

2006, nr 1
artykuł
Reliability of Communication Systems Used in Offshore Wind Farms, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2022, nr 4

Uhl, Tadeus

2022, nr 4
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji