Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Large-Signal RF Modeling with the EKV3 MOSFET Model, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Autor:

Chalkiadaki, Maria-Anna ; Bucher, Matthias

Data wydania:

2010, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

This paper presents a validation of the EKV3 MOSFET model under load-pull conditions with high input power at 5.8 GHz, as well as S-parameter measurements with low input power up to 20 GHz. The EKV3 model is able to represent coherently the large- and small-signal RF characteristics in advanced 90 nm CMOS technology. Multifinger devices with nominal drawn gate length of 70 nm are used.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:767 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2010.1.1060

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

compact model radio frequency large-signal MOSFET model load-pull EKV3 model

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

28 sie 2024

Data dodania obiektu:

5 paź 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

256

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/851

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Chalkiadaki, Maria-Anna; Bucher, Matthias, Large-Signal RF Modeling with the EKV3 MOSFET Model, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1 28 sie 2024

Obiekty Podobne
Standardization of the compact model coding: non-fully depleted SOI MOSFET example, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Grabiński, Władysław Lemaitre, Laurent

2005, nr 1
artykuł
Advanced compact modeling of the deep submicron technologies, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Grabiński, Władysław Bucher, Matthias Sallese, Jean-Michel Krummenacher, Francçis

2000, nr 3,4
artykuł
Variation Analysis of CMOS Technologies Using Surface-Potential MOSFET Model, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Yumisaki, Akihiro Sadachika, Norio Mattausch, Hans Jurgen Miura-Mattausch, Mitiko Koide, Tetsushi Johguchi, Koh Kaya, Akihiro

2009, nr 4
artykuł
Technology of MISFET with SiO2/BaTiO3 System as a Gate Insulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Szmidt, Jan Firek, Piotr

2009, nr 4
artykuł
Radio Photonic Systems for Measurement of Instantaneous Radio Frequency with Amplitude-phase Modulation of Optical Carrier, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2016, nr 2

Vedenkin, Denis A. Nasybullin, Aydar R. Agliullin, Timur A. Morozov, Oleg G.

2016, nr 2
artykuł
Novel Method of Improving Electrical Properties of Thin PECVD Oxide Films by Fluorination of Silicon Surface Region by RIE in RF CF4 Plasma, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Beck, Romuald B. Głuszko, Grzegorz Kalisz, Małgorzata

2010, nr 1
artykuł
The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Beck, Romuald B. Głuszko, Grzegorz Kalisz, Małgorzata

2010, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji