Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Silicon-germanium for ULSI, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Autor:

Halll, Steve ; Eccleston, Bill

Data wydania:

2000, nr 3,4

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

The paper describes recent progress for the introduction of silicon-germanium, bipolar and field effect heterostructure transistors into mainstream integrated circuit application. Basic underlying concepts and device architectures which give rise to the desired performance advantages are described together with the latest state-of the-art results for HBT and MOSFET devices. The integration of such devices into viable HBT, BiCMOS and CMOS is reviewed. Other contributions that SiGe can make to enhance the performance of ULSI circuits are mentioned also.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:1637 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2000.3-4.33

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

HBT SiGe-CMOS silicon-germanium

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

16 maj 2024

Data dodania obiektu:

16 maj 2014

Liczba wyświetleń treści obiektu:

161

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/1837

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Halll, Steve; Eccleston, Bill, Silicon-germanium for ULSI, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4 16 maj 2024

Obiekty Podobne
Oxidation kinetic sof silicon strained by silicon germanium, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Beck, Romuald B. Grabowski, Jarosław

2007, nr 3
artykuł
Artificial adaptive agent model characterized by learning and fairness in the ultimatum games, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 4

Nishizaki, Ichiro Katagiri, Hideki Hayashida, Tomohiro

2007, nr 4
artykuł
Low frequency noise in Si and Si/SiGe/Si PMOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Grasby, Tim J. Bacon, Adam R. Parker, Evan H. C. Fulgoni, Dominic J. F. Leadley, David R. Thomas, Stephen M. Whall, Terence E. Prest, Martin J.

2007, nr 2
artykuł
Challenges for 10 nm MOSFET process integration, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Hellström, Per-Erik Haartman von, Martin Östling, Mikael Zhang, Zhen Hallstedt, Julius Zhang, Shili Malm, Bengt Gunnar

2007, nr 2
artykuł
Recent developments in vertical MOSFETs and SiGe HBTs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Buiu, Octavian Hall, Stephen Ashburn, Peter Groot de, Kees

2004, nr 1
artykuł
CVD growth of high speed SiGe HBTs using SiH4, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Landgren, Gunnar Radamson, Henry H. Grahn, Jan

2000, nr 3,4
artykuł
Modeling SiGe-base HBT using APSYS 2000 - a 2D simulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Linkowski, Adam

2004, nr 1
artykuł
SiGe HBT wideband amplifier for millimeter wave applications, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 1

Boeck, Georg Noether, Nils Krcmar, Marko

2007, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji