Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Analysis of the Dispersion of Electrical Parameters and Characteristics of FinFET Devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Autor:

Jakubowski, Andrzej ; Tomaszewski, Daniel ; Łukasiak, Lidia ; Korwin-Pawlowski, Michael L. ; Malinowski, Arkadiusz ; Sekine, Makoto ; Hori, Masaru

Data wydania:

2009, nr 4

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

Extensive numerical simulations of FinFET structures have been carried out using commercial TCAD tools. A series of plasma etching steps has been simulated for different process conditions in order to evaluate the influence of plasma pressure, composition and powering on the FinFET topography. Next, the most important geometric parameters of the FinFETs have been varied and the electrical characteristics have been calculated in order to evaluate the sensitivity of the FinFET electrical parameters on possible FinFET structure variability.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:472 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2009.4.960

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

plasma etching FinFET, line edge roughness, parameter variability, plasma etching, technology computer aided design (TCAD) parameter variability technology computer aided design (TCAD) line edge roughness

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

27 sie 2024

Data dodania obiektu:

8 mar 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

304

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/530

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Malinowski, Arkadiusz; Tomaszewski, Daniel; Łukasiak, Lidia; Jakubowski, Andrzej; Sekine, Makoto; Hori, Masaru, Analysis of the Dispersion of Electrical Parameters and Characteristics of FinFET Devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4 27 sie 2024

Obiekty Podobne
Comparison of 4H-SiC and 6H-SiC MOSFET I-V characteristic ssimulated with Silvaco Atlas and Crosslight Apsys, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Korwin-Pawlowski, Michael L. Stęszewski, Jędrzej

2007, nr 3
artykuł
An impact of frequency on capacitances of partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Zaręba, Agnieszka

2000, nr 3,4
artykuł
A model of partially-depleted SOI MOSFETs in the subthreshold range, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Domański, Krzysztof

2001, nr 1
artykuł
An impact of physical phenomena on admittances of partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Gibki, Jan

2001, nr 1
artykuł
Characterization of SOI fabrication process using gated-diode measurements and TEM studies, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Gibki, Jan Ratajczak, Jacek Kątcki, Jerzy

2000, nr 3,4
artykuł
History of Semiconductors, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia

2010, nr 1
artykuł
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Pióro, Zbigniew

2004, nr 1
artykuł
Modeling SiGe-base HBT using APSYS 2000 - a 2D simulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Linkowski, Adam

2004, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji