Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Low frequency noise in advanced Si bulk and SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Autor:

Balestra, Francis ; Ghibaudo, Gérard ; Jomaah, Jalal

Data wydania:

2005, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

A review of recent results concerning the low frequency noise in modern CMOS devices is given. The approaches such as the carrier number and the Hooge mobility fluctuations used for the analysis of the noise sources are presented and illustrated through experimental data obtained on advanced CMOS SOI and Si bulk generations. Furthermore, the impact on the electrical noise of the shrinking of CMOS devices in the deep submicron range is also shown. The main physical characteristics of random telegraph signals (RTS) observed in small area MOS transistors are reviewed. Experimental results obtained on 0.35{0.12 mm CMOS technologiesare used to predict the trends for the noise in future CMOS technologies, e.g., 0.1 mm and beyond. For SOI MOSFETS, the main types of layout will be considered, that is floating body, DTMOS, and body-contact. Particular attention will be paid to the floating body effect that induces a kink-related excess noise, which superimposes a Lorentzian spectrum on the flicker noise.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:361

DOI:

10.26636/jtit.2005.1.295

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

SOI CMOS low frequency noise DTMOS fluctuations kink-related excess noise

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

11 cze 2024

Data dodania obiektu:

26 lut 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

807

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/411

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Jomaah, Jalal; Balestra, Francis; Ghibaudo, Gérard, Low frequency noise in advanced Si bulk and SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1 11 cze 2024

Obiekty Podobne
Reliability of deep submicron MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Balestra, Francis

2001, nr 1
artykuł
SOI nanodevices and materials for CMOS ULSI, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Balestra, Francis

2007, nr 2
artykuł
Challenges for 10 nm MOSFET process integration, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Hellström, Per-Erik Haartman von, Martin Östling, Mikael Zhang, Zhen Hallstedt, Julius Zhang, Shili Malm, Bengt Gunnar

2007, nr 2
artykuł
TSSOI as an efficient tool for diagnostics of SOI technology in Institute of Electron Technology, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Tomaszewski, Daniel Jaroszewicz, Bohdan Grabiec, Piotr Marczewski, Jacek Barański, Mateusz Domański, Krzysztof Kucharski, Krzysztof Kucewicz, Wojciech Grodner, Mirosław Sapor, Maria Kociubiński, Andrzej Niemiec, Halina

2005, nr 1
artykuł
Reliability and low-frequency noise measurements of InGaAsP MQW buried-heterostructure lasers, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2003, nr 1

Letal, Gregory Šermukšnis, Emilis Matukas, Jonas Pralgauskaite, Sandra Smetona, Saulius Mallard, Robert Palenskis, Vilius Vyšniauskas, Juozas

2003, nr 1
artykuł
Characterization of SOI fabrication process using gated-diode measurements and TEM studies, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Gibki, Jan Ratajczak, Jacek Kątcki, Jerzy

2000, nr 3,4
artykuł
Grain boundary effect on the anisotropy piezoresistance of laser-recrystallized polysilicon layers in SOI-structures, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Druzhinin, Anatoly Pankov, Yury

2001, nr 1
artykuł
Recent developments in vertical MOSFETs and SiGe HBTs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Buiu, Octavian Hall, Stephen Ashburn, Peter Groot de, Kees

2004, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji