Obiekt

Tytuł: Effects of stress annealing on the electrical and the optical properties of MOS devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

12 cze 2024

Data dodania obiektu:

1 mar 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

579

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/424

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Obiekty Podobne

×

Cytowanie

Styl cytowania:

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji