Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Effects of stress annealing on the electrical and the optical properties of MOS devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Autor:

Przewłocki, Henryk M. ; Rzodkiewicz, Witold ; Kudła, Andrzej ; Sawicki, Zbigniew

Data wydania:

2005, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

In this paper we show the results of a study of the effects of high-temperature stress annealing in nitrogen on the refraction index of SiO2 layers and electrical properties in metal-oxide-semiconductor (MOS) devices. We have experimentally characterized the dependence of the reduced effective contact potential difference (ECPD), the effective oxide charge density (Neff), and the mid-gap interface trap density (Dit) on the annealing conditions. Subsequently, we have correlated such properties with the dependence of the refraction index and oxide stress on the annealing conditions and silicon dioxide thickness. Also, the dependence of mechanical stress in the Si-SiO2 system on the oxidation and annealing conditions has been experimentally determined. We consider the contributions of the thermal-relaxation and nitrogen incorporation processes in determining changes in the SiO2 layer refractive index and the electrical properties with annealing time. This description is consistent with other annealing studies carried out in argon, where only the thermal relaxation process is present.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:374

DOI:

10.26636/jtit.2005.1.282

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

MOS Si-SiO2 system refractive index electrical parameters stress

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

12 cze 2024

Data dodania obiektu:

1 mar 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

579

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/424

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Rzodkiewicz, Witold; Kudła, Andrzej; Sawicki, Zbigniew; Przewłocki, Henryk M., Effects of stress annealing on the electrical and the optical properties of MOS devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1 12 cze 2024

Obiekty Podobne
Ellipsometric spectroscopy studies of compaction and decompaction of Si-SiO2 systems, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Rzodkiewicz, Witold Panas, Andrzej

2007, nr 3
artykuł
Variability of the local ΦMS values over the gate area of MOS devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Przewłocki, Henryk M. Massoud, Hisham Z. Kudła, Andrzej Brzezińska, Danuta

2005, nr 1
artykuł
Comparison of the barrier height measurements by the Powell method with the ΦMS measurement results, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Przewłocki, Henryk M. Rzodkiewicz, Witold Piskorski, Krzysztof Kudła, Andrzej

2005, nr 1
artykuł
Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Bieniek, Tomasz Kudła, Andrzej

2005, nr 1
artykuł
Investigation of barrier height distributions over the gate area of Al-SiO2-Si structures, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Przewłocki, Henryk M. Piskorski, Krzysztof

2007, nr 3
artykuł
LPT and SLPT Measurement Methods of Flat-Band Voltage (VFB) in MOS Devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Przewłocki, Henryk M. Piskorski, Krzysztof

2009, nr 4
artykuł
Energy concepts involved in MOS characterization, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Engström, Olof Gutt, Tomasz Przewłocki, Henryk M.

2007, nr 2
artykuł
Electrical characterization of ISFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Tomaszewski, Daniel Jaroszewicz, Bohdan Pijanowska, Dorota G. Grabiec, Piotr Zaborowski, Michał Yang, Chia-Ming

2007, nr 3
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji