Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: The Impact of Externally Applied Mechanical Stress on Analog and RF Performances of SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Autor:

Raskin, Jean-Pierre ; Vanhoenacker-Janvier, Danielle ; Emam, Mostafa ; Houri, Samer

Data wydania:

2009, nr 4

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

This paper presents a complete study of the impact of mechanical stress on the performance of SOI MOSFETs. This investigation includes dc, analog and RF characteristics. Parameters of a small-signal equivalent circuit are also ex- tracted as a function of applied mechanical stress. Piezoresistance coefficientis shown to be a key element in describing the enhancement in the characteristics of the device due to mechanical stress.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:469 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2009.4.957

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

SOI MOSFET mechanical stress piezoresistance coefficient intrinsic gain cutoff frequency fT

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

27 sie 2024

Data dodania obiektu:

8 mar 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

213

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/527

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Emam, Mostafa; Houri, Samer; Vanhoenacker-Janvier, Danielle; Raskin, Jean-Pierre, The Impact of Externally Applied Mechanical Stress on Analog and RF Performances of SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4 27 sie 2024

Obiekty Podobne
Direct extraction techniques of microwave small-signal model and technological parameters for sub-quarter micron SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle

2000, nr 3,4
artykuł
Comparison of microwave performances for sub-quarter micron fully- and partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle Dambrine, Gilles

2000, nr 3,4
artykuł
Variability of the local ΦMS values over the gate area of MOS devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Przewłocki, Henryk M. Massoud, Hisham Z. Kudła, Andrzej Brzezińska, Danuta

2005, nr 1
artykuł
SOI Technology: An Opportunity for RF Designers?, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Raskin, Jean-Pierre

2009, nr 4
artykuł
Recent developments in vertical MOSFETs and SiGe HBTs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Buiu, Octavian Hall, Stephen Ashburn, Peter Groot de, Kees

2004, nr 1
artykuł
On-wafer wideband characterization: a powerful tool for improving the IC technologies, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Raskin, Jean-Pierre Lederer, Dimitri

2007, nr 2
artykuł
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Pióro, Zbigniew

2004, nr 1
artykuł
High-temperature instability processes in SOI structures and MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Nazarov, Alexei N. Kilchytska, V. I. Colinge, J. P. Vovk, Ja. N.

2001, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji