Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Charging Phenomena at the Interface Between High-k Dielectrics and SiOx Interlayers, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Autor:

Mitrovic, Ivona Z. ; Hall, Stephen ; Engström, Olof ; Schmidt, Mathias ; Piscator, Johan ; Raeissi, Bahman ; Gottlob, Heinrich D. B. ; Hurley, Paul K. ; Cherkaoui, Karim

Data wydania:

2010, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

The transition regions of GdSiO/SiOx and HfO2/SiOx interfaces have been studied with the high-k layers deposited on silicon substrates. The existence of transition regions was verified by medium energy ion scattering (MEIS) data and transmission electron microscopy (TEM). From measurements of thermally stimulated current (TSC), electron states were found in the transition region of the HfO2/SiOx structures, exhibiting instability attributed to the flexible structural molecular network expected to surround the trap volumes. The investigations were focused especially on whether the trap states belong to an agglomeration consisting of a single charge polarity or of a dipole constellation. We found that flat-band voltage shifts of MOS structures, that reach constant values for increasing oxide thickness, cannot be taken as unique evidence for the existence of dipole layers.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:764 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2010.1.1023

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

defects metal oxide semiconductor dielectrics high-k

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

25 lut 2026

Data dodania obiektu:

4 paź 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

193

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/848

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Engström, Olof; Raeissi, Bahman; Piscator, Johan; Mitrovic, Ivona Z.; Cherkaoui, Karim, 2010, nr 1, Charging Phenomena at the Interface Between High-k Dielectrics and SiOx Interlayers, Journal of Telecommunications and Information Technology 25 lut 2026

Obiekty Podobne
Review and perspective of high-k dielectrics on silicon, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Davey, William M. Lu, Yi Mitrovic, Ivona Z. Buiu, Octavian Hall, Stephen

2007, nr 2
artykuł
Comparison of gate leakage current components in metal-insulator-semiconductor structures with high-k gate dielectrics, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Majkusiak, Bogdan Korwin-Pawłowski, Michał Janik, Tomasz

2001, nr 1
artykuł
Gate dielectrics: process integration issues and electrical properties, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Schwalke, Udo

2005, nr 1
artykuł
Challenges for 10 nm MOSFET process integration, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Hellström, Per-Erik Haartman von, Martin Östling, Mikael Zhang, Zhen Hallstedt, Julius Zhang, Shili Malm, Bengt Gunnar

2007, nr 2
artykuł
Rare Earth Silicate Formation: A Route Towards High-k for the 22 nm Node and Beyond, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Mitrovic, Ivona Z. Hall, Stephen

2009, nr 4
artykuł
Evaluation of MOSFETs with crystalline high-k gate-dielectrics: device simulation and experimental data, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Schwalke, Udo Zaunert, Florian Endres, Ralf Stefanov, Yordan

2007, nr 2
artykuł
Energy concepts involved in MOS characterization, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Engström, Olof Gutt, Tomasz Przewłocki, Henryk M.

2007, nr 2
artykuł
Comparison of composition of ultra-thin silicon oxynitride layers’ fabricated by PECVD and ultrashallow rf plasma ion implantation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Konarski, Piotr Bieniek, Tomasz Schmeißer, Dieter Hoffmann, Patrick Mroczyński, Robert

2007, nr 3
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji