Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Review and perspective of high-k dielectrics on silicon, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Autor:

Davey, William M. ; Lu, Yi ; Mitrovic, Ivona Z. ; Buiu, Octavian ; Hall, Stephen

Data wydania:

2007, nr 2

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

The paper reviews recent work in the area of high-k dielectrics for application as the gate oxide in advanced MOSFETs. Following a review of relevant dielectric physics, we discuss challenges and issues relating to characterization of the dielectrics, which are compounded by electron trapping phenomena in the microsecond regime. Nearly all practical methods of preparation result in a thin interfacial layer generally of the form SiOx or a mixed oxide between Si and the high-k so that the extraction of the dielectric constant is complicated and values must be qualified by error analysis. The discussion is initially focussed on HfO2 but recognizing the propensity for crystallization of that material at modest temperatures, we discuss and review also, hafnia silicates and aluminates which have the potential for integration into a full CMOS process. The paper is concluded with a perspective on material contenders for the “end of road map” at the 22 nm node.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:250

DOI:

10.26636/jtit.2007.2.806

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

high-k dielectrics aluminates silicates dielectric constant hafnia interfacial layer

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

24 lip 2024

Data dodania obiektu:

8 sty 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

289

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/285

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Hall, Stephen; Buiu, Octavian; Mitrovic, Ivona Z.; Lu, Yi; Davey, William M., Review and perspective of high-k dielectrics on silicon, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2 24 lip 2024

Obiekty Podobne
Charging Phenomena at the Interface Between High-k Dielectrics and SiOx Interlayers, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Mitrovic, Ivona Z. Hall, Stephen Engström, Olof Schmidt, Mathias Piscator, Johan Raeissi, Bahman Gottlob, Heinrich D. B. Hurley, Paul K. Cherkaoui, Karim

2010, nr 1
artykuł
Rare Earth Silicate Formation: A Route Towards High-k for the 22 nm Node and Beyond, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Mitrovic, Ivona Z. Hall, Stephen

2009, nr 4
artykuł
Comparison of gate leakage current components in metal-insulator-semiconductor structures with high-k gate dielectrics, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Majkusiak, Bogdan Korwin-Pawłowski, Michał Janik, Tomasz

2001, nr 1
artykuł
Recent developments in vertical MOSFETs and SiGe HBTs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Buiu, Octavian Hall, Stephen Ashburn, Peter Groot de, Kees

2004, nr 1
artykuł
Gate dielectrics: process integration issues and electrical properties, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Schwalke, Udo

2005, nr 1
artykuł
Challenges for 10 nm MOSFET process integration, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Hellström, Per-Erik Haartman von, Martin Östling, Mikael Zhang, Zhen Hallstedt, Julius Zhang, Shili Malm, Bengt Gunnar

2007, nr 2
artykuł
Silicon everywhere, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Krzysztof J.

2004, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji