Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Technology of MISFET with SiO2/BaTiO3 System as a Gate Insulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Autor:

Szmidt, Jan ; Firek, Piotr

Data wydania:

2009, nr 4

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

The properties of barium titanate (BaTiO3, BT), such as high dielectric constant and resistivity, allow it to find numerous applications in the field of microelectronics. In this work silicon metal-insulator-semiconductor field effect transistor (MISFET) structures with BaTiO3 thin films (containing La2O3 admixture) acting as gate insulator were investigated. The films were produced by means of radio frequency plasma sputtering (RF PS) of sintered BaTiO3 + La2O3 (2% wt.) target. In the paper transfer and output I−V, transconductance and output conductance characteristics of the obtained transistors are presented and discussed. Basic parameters of these devices, such as threshold voltage (VTH) are determined and discussed.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:474 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2009.4.972

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

radio frequency plasma sputtering MISFET structures I–V characteristics barium titanate

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

27 sie 2024

Data dodania obiektu:

8 mar 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

266

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/532

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Firek, Piotr; Szmidt, Jan, echnology of MISFET with SiO2/BaTiO3 System as a Gate Insulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4 27 sie 2024

Obiekty Podobne
Electrical characterization of ISFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Tomaszewski, Daniel Jaroszewicz, Bohdan Pijanowska, Dorota G. Grabiec, Piotr Zaborowski, Michał Yang, Chia-Ming

2007, nr 3
artykuł
Properties of Al contacts to Si surface exposed in the course of plasma etching of previously grown nanocrystalline c-BN lm, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Szmidt, Jan Werbowy, Aleksander Firek, Piotr Olszyna, Andrzej R.

2005, nr 1
artykuł
Influence of the deposition process parameters on electronic properties of BN films obtained by means of RF PACVD, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Szmidt, Jan Werbowy, Aleksander Kwietniewski, Norbert Firek, Piotr

2007, nr 3
artykuł
Correlation between electric parameters of carbon layers and their capacity for field emission, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Szmidt, Jan Czerwosz, Elżbieta Gronau, Ryszard

2007, nr 3
artykuł
Reliability of MIS transistors with plasma deposited Al2O3 gate dielectric film, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Szmidt, Jan Werbowy, Aleksander Dusiński, Emil Zdunek, Krzysztof

2001, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji