Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Energy concepts involved in MOS characterization, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Autor:

Engström, Olof ; Gutt, Tomasz ; Przewłocki, Henryk M.

Data wydania:

2007, nr 2

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

Starting from a quantum statistical reasoning, it is demonstrated that entropy properties of silicon/silicon dioxide interface electron traps may have a strong influence on measured distributions of interface states, depending on measurement method used. For methods, where the Fermi-level is used as a probe to define an energy position, the scale is based on free energy. On the other hand, methods based on thermal activation of electrons give the distribution on an enthalpy scale. It is shown that measured interface state distributions are influenced by the distribution of entropy, and that common features of measured energy distributions may be influenced by entropy variations. These results are used to interpret experimental data on the energy distribution of electron capture cross sections with an exponential increase followed by a more or less constant value as the energy distance of the traps from the conduction band edge increases. Such a relation is shown to be consistent with a situation where the emission and capture processes of electrons obey the Meyer-Neldel rule.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852 ; oai:bc.itl.waw.pl:271

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

Meyer-Neldel rule interface states C-V technique thermally stimulated current MOS capture cross sections

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

22 sty 2010

Data dodania obiektu:

22 sty 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

108

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/313

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Engström, Olof; Gutt, Tomasz; Przewłocki, Henryk M., Energy concepts involved in MOS characterization, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2 22 sty 2010

Obiekty Podobne
Investigation of barrier height distributions over the gate area of Al-SiO2-Si structures, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Przewłocki, Henryk M. Piskorski, Krzysztof

2007, nr 3
artykuł
LPT and SLPT Measurement Methods of Flat-Band Voltage (VFB) in MOS Devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Przewłocki, Henryk M. Piskorski, Krzysztof

2009, nr 4
artykuł
Variability of the local ΦMS values over the gate area of MOS devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Przewłocki, Henryk M. Massoud, Hisham Z. Kudła, Andrzej Brzezińska, Danuta

2005, nr 1
artykuł
Comparison of the barrier height measurements by the Powell method with the ΦMS measurement results, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Przewłocki, Henryk M. Rzodkiewicz, Witold Piskorski, Krzysztof Kudła, Andrzej

2005, nr 1
artykuł
Effects of stress annealing on the electrical and the optical properties of MOS devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Przewłocki, Henryk M. Rzodkiewicz, Witold Kudła, Andrzej Sawicki, Zbigniew

2005, nr 1
artykuł
Properties and benefits of fluorine in silicon and silicon-germanium devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Ashburn, Peter Mubarek El, Huda A. W.

2007, nr 2
artykuł
Modeling of negative bias temperature instability, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Selberherr, Siegfried Grasser, Tibor

2007, nr 2
artykuł
Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Bieniek, Tomasz Kudła, Andrzej

2005, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji