Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Properties of Al contacts to Si surface exposed in the course of plasma etching of previously grown nanocrystalline c-BN lm, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Autor:

Szmidt, Jan ; Werbowy, Aleksander ; Firek, Piotr ; Olszyna, Andrzej R.

Data wydania:

2005, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

Properties of Al electric contacts to Si(p) surface exposed to fluorine-based plasma etching of nanocrystalline cubic boron nitride (c-BN) _lm grown previously were studied and compared to the properties of Al contacts fabricated on pristine or dry etched surface of Si(p) wafers. In addition, a part of the investigated samples was annealed in nitrogen atmosphere at the temperature of 673 K. Analysis of contract properties is based on current-voltage (I-V) measurements of the produced Al-Si structures. The presented investigations were performed in order to evaluate the efficiency of the applied plasma etching method of nanocrystalline c-BN from the viewpoint of its influence on the properties of metal contacts formed subsequently and thus on the performance of electronic devices involving the use of boron nitride.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:367

DOI:

10.26636/jtit.2005.1.289

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

electric contacts cubic boron nitride plasma etching

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

12 cze 2024

Data dodania obiektu:

1 mar 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

165

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/417

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Firek, Piotr; Werbowy, Aleksander; Szmidt, Jan; Olszyna, Andrzej R., Properties of Al contacts to Si surface exposed in the course of plasma etching of previously grown nanocrystalline c-BN lm, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1 12 cze 2024

Obiekty Podobne
Influence of the deposition process parameters on electronic properties of BN films obtained by means of RF PACVD, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Szmidt, Jan Werbowy, Aleksander Kwietniewski, Norbert Firek, Piotr

2007, nr 3
artykuł
Technology of MISFET with SiO2/BaTiO3 System as a Gate Insulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Szmidt, Jan Firek, Piotr

2009, nr 4
artykuł
Reliability of MIS transistors with plasma deposited Al2O3 gate dielectric film, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Szmidt, Jan Werbowy, Aleksander Dusiński, Emil Zdunek, Krzysztof

2001, nr 1
artykuł
Analysis of the Dispersion of Electrical Parameters and Characteristics of FinFET Devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Korwin-Pawlowski, Michael L. Malinowski, Arkadiusz Sekine, Makoto Hori, Masaru

2009, nr 4
artykuł
Novel Method of Improving Electrical Properties of Thin PECVD Oxide Films by Fluorination of Silicon Surface Region by RIE in RF CF4 Plasma, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Beck, Romuald B. Głuszko, Grzegorz Kalisz, Małgorzata

2010, nr 1
artykuł
The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Beck, Romuald B. Głuszko, Grzegorz Kalisz, Małgorzata

2010, nr 1
artykuł
The role of fluorine-containing ultra-thin layer in controlling boron thermal diffusion into silicon, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Kalisz, Małgorzata Barcz, Adam

2007, nr 3
artykuł
Correlation between electric parameters of carbon layers and their capacity for field emission, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Szmidt, Jan Czerwosz, Elżbieta Gronau, Ryszard

2007, nr 3
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji