Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Challenges for 10 nm MOSFET process integration, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Autor:

Hellström, Per-Erik ; Haartman von, Martin ; Östling, Mikael ; Zhang, Zhen ; Hallstedt, Julius ; Zhang, Shili ; Malm, Bengt Gunnar

Data wydania:

2007, nr 2

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

An overview of critical integration issues for future generation MOSFETs towards 10 nm gate length is presented. Novel materials and innovative structures are discussed. The need for high-k gate dielectrics and a metal gate electrode is discussed. Different techniques for strain-enhanced mobility are discussed. As an example, ultra thin body SOI devices with high mobility SiGe channels are demonstrated.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:249

DOI:

10.26636/jtit.2007.2.805

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

sstrained silicon silicon germanium hafnium oxide high-k dielectrics mobility low-frequency noise nano-wire silicon-on-insulator (SOI) metal gate

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

25 lut 2026

Data dodania obiektu:

8 sty 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

206

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/284

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Östling, Mikael; Malm, Bengt Gunnar; Haartman von, Martin; Hallstedt, Julius; Zhang, Zhen; Hellström, Per-Erik; Zhang, Shili, Challenges for 10 nm MOSFET process integration, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2 25 lut 2026

Obiekty Podobne
Charging Phenomena at the Interface Between High-k Dielectrics and SiOx Interlayers, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Mitrovic, Ivona Z. Hall, Stephen Engström, Olof Schmidt, Mathias Piscator, Johan Raeissi, Bahman Gottlob, Heinrich D. B. Hurley, Paul K. Cherkaoui, Karim

2010, nr 1
artykuł
Comparison of gate leakage current components in metal-insulator-semiconductor structures with high-k gate dielectrics, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Majkusiak, Bogdan Korwin-Pawłowski, Michał Janik, Tomasz

2001, nr 1
artykuł
Review and perspective of high-k dielectrics on silicon, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Davey, William M. Lu, Yi Mitrovic, Ivona Z. Buiu, Octavian Hall, Stephen

2007, nr 2
artykuł
Evaluation of MOSFETs with crystalline high-k gate-dielectrics: device simulation and experimental data, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Schwalke, Udo Zaunert, Florian Endres, Ralf Stefanov, Yordan

2007, nr 2
artykuł
Reliability and low-frequency noise measurements of InGaAsP MQW buried-heterostructure lasers, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2003, nr 1

Letal, Gregory Šermukšnis, Emilis Matukas, Jonas Pralgauskaite, Sandra Smetona, Saulius Mallard, Robert Palenskis, Vilius Vyšniauskas, Juozas

2003, nr 1
artykuł
Low frequency noise in advanced Si bulk and SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Balestra, Francis Ghibaudo, Gérard Jomaah, Jalal

2005, nr 1
artykuł
Gate dielectrics: process integration issues and electrical properties, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Schwalke, Udo

2005, nr 1
artykuł
Oxidation kinetic sof silicon strained by silicon germanium, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Beck, Romuald B. Grabowski, Jarosław

2007, nr 3
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji