Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Gate dielectrics: process integration issues and electrical properties, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Autor:

Schwalke, Udo

Data wydania:

2005, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

In this work we report on the process integration of crystalline praseodymium oxide (Pr2O3) high-k gate dielectric. Key process steps that are compatible with the high-k material have been developed and were applied for realisation of MOS structures. For the first time Pr2O3 has been integrated successfully in a conventional MOS process with n+ poly-silicon gate electrode. The electrical properties of Pr2O3 MOS capacitors are presented and discussed.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:358

DOI:

10.26636/jtit.2005.1.298

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

high-k dielectrics CMOS Pr2O3 wet chemical cleaning RIE process integration wet chemical etching resist removal

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

25 lut 2026

Data dodania obiektu:

26 lut 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

372

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/408

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Schwalke, Udo, Gate dielectrics: process integration issues and electrical properties, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1 25 lut 2026

Obiekty Podobne
Charging Phenomena at the Interface Between High-k Dielectrics and SiOx Interlayers, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Mitrovic, Ivona Z. Hall, Stephen Engström, Olof Schmidt, Mathias Piscator, Johan Raeissi, Bahman Gottlob, Heinrich D. B. Hurley, Paul K. Cherkaoui, Karim

2010, nr 1
artykuł
Comparison of gate leakage current components in metal-insulator-semiconductor structures with high-k gate dielectrics, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Majkusiak, Bogdan Korwin-Pawłowski, Michał Janik, Tomasz

2001, nr 1
artykuł
Review and perspective of high-k dielectrics on silicon, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Davey, William M. Lu, Yi Mitrovic, Ivona Z. Buiu, Octavian Hall, Stephen

2007, nr 2
artykuł
Challenges for 10 nm MOSFET process integration, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Hellström, Per-Erik Haartman von, Martin Östling, Mikael Zhang, Zhen Hallstedt, Julius Zhang, Shili Malm, Bengt Gunnar

2007, nr 2
artykuł
Evaluation of MOSFETs with crystalline high-k gate-dielectrics: device simulation and experimental data, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Schwalke, Udo Zaunert, Florian Endres, Ralf Stefanov, Yordan

2007, nr 2
artykuł
The influence of annealing (900◦C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Głuszko, Grzegorz Konarski, Piotr Schmeißer, Dieter Hoffmann, Patrick Mroczyński, Robert

2007, nr 3
artykuł
Composition and electrical properties of ultra-thin SiOxNy layers formed by rf plasma nitrogen implantation/plasma oxidation processes, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Konarski, Piotr Bieniek, Tomasz Schmeißer, Dieter Hoffmann, Patrick

2007, nr 3
artykuł
TSSOI as an efficient tool for diagnostics of SOI technology in Institute of Electron Technology, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Tomaszewski, Daniel Jaroszewicz, Bohdan Grabiec, Piotr Marczewski, Jacek Barański, Mateusz Domański, Krzysztof Kucharski, Krzysztof Kucewicz, Wojciech Grodner, Mirosław Sapor, Maria Kociubiński, Andrzej Niemiec, Halina

2005, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji