Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Autor:

Jakubowski, Andrzej ; Beck, Romuald B. ; Bieniek, Tomasz ; Kudła, Andrzej

Data wydania:

2005, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

The radiation damage caused by low energy r.f. plasmas has not been, to our knowledge, studied so far in the case of symmetric planar plasma reactors that are usually used for PECVD processes. The reason is that, unlike nonsymmetricalRIE reactors, such geometry prevents, basically, high-energy ion bombardment of the substrate. In this work, we present the results of experiments in which we have studied the influence of plasma processing on the state of silicon surface.Very low temperature plasma oxidation has been used as a test of silicon surface condition. The obtained layers were then carefully measured by spectroscopic ellipsometry, allowing not only the thickness to be determined accurately, but also the layer composition to be evaluated. Different plasma types, namely N2, NH3 and Ar, were used in the first stage of the experiment, allowing oxidation behaviour caused by the exposure to those plasma types to be compared in terms of relative differences. It has been clearly proved that even though the PECVD system is believed to be relatively safe in terms of radiation damage, in the case of very thin layer processing(e.g., ultra-thin oxynitride layers) the effects of radiation damage may considerably affect the kinetics of the process and the properties of the formed layers.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:366

DOI:

10.26636/jtit.2005.1.290

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

shallow implantation MOS technology radiation damage plasma processing

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

11 cze 2024

Data dodania obiektu:

26 lut 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

290

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/416

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Bieniek, Tomasz; Beck, Romuald B.; Jakubowski, Andrzej; Kudła, Andrzej, Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1 11 cze 2024

Obiekty Podobne
Ultrathin oxynitride films for CMOS technology, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B.

2004, nr 1
artykuł
Applying shallow nitrogen implantation from rf plasma for dual gate oxide technology, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Głuszko, Grzegorz Konarski, Piotr Bieniek, Tomasz

2007, nr 3
artykuł
Composition and electrical properties of ultra-thin SiOxNy layers formed by rf plasma nitrogen implantation/plasma oxidation processes, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Konarski, Piotr Bieniek, Tomasz Schmeißer, Dieter Hoffmann, Patrick

2007, nr 3
artykuł
Challenges in ultrathin oxide layers formation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Łukasiak, Lidia Korwin-Pawłowski, Michał

2001, nr 1
artykuł
Comparison of composition of ultra-thin silicon oxynitride layers’ fabricated by PECVD and ultrashallow rf plasma ion implantation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Konarski, Piotr Bieniek, Tomasz Schmeißer, Dieter Hoffmann, Patrick Mroczyński, Robert

2007, nr 3
artykuł
The influence of annealing (900◦C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Głuszko, Grzegorz Konarski, Piotr Schmeißer, Dieter Hoffmann, Patrick Mroczyński, Robert

2007, nr 3
artykuł
Oxidation kinetic sof silicon strained by silicon germanium, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Beck, Romuald B. Grabowski, Jarosław

2007, nr 3
artykuł
Novel Method of Improving Electrical Properties of Thin PECVD Oxide Films by Fluorination of Silicon Surface Region by RIE in RF CF4 Plasma, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Beck, Romuald B. Głuszko, Grzegorz Kalisz, Małgorzata

2010, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji