Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Composition and electrical properties of ultra-thin SiOxNy layers formed by rf plasma nitrogen implantation/plasma oxidation processes, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Autor:

Jakubowski, Andrzej ; Beck, Romuald B. ; Ćwil, Michał ; Konarski, Piotr ; Bieniek, Tomasz ; Schmeißer, Dieter ; Hoffmann, Patrick

Data wydania:

2007, nr 3

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

Experiments presented in this work are a summary of the study that examines the possibility of fabrication of oxynitride layers for Si structures by nitrogen implantation from rf plasma only or nitrogen implantation from rf plasma followed immediately by plasma oxidation process. The obtained layers were characterized by means of: ellipsometry, XPS and ULE-SIMS. The results of electrical characterization of NMOS Al-gate test structures fabricated with the investigated layers used as gate dielectric, are also discussed.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852 ; oai:bc.itl.waw.pl:277

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

oxynitride CMOS gate stack plasma implantation

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

26 maj 2015

Data dodania obiektu:

25 sty 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

242

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/320

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Bieniek, Tomasz; Beck, Romuald B.; Jakubowski, Andrzej; Konarski, Piotr; Ćwil, Michał; Hoffmann, Patrick; Schmeißer, Dieter, Composition and electrical properties of ultra-thin SiOxNy layers formed by rf plasma nitrogen implantation/plasma oxidation processes, Journal of Telecommunications and ... 26 maj 2015

Obiekty Podobne
Applying shallow nitrogen implantation from rf plasma for dual gate oxide technology, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Głuszko, Grzegorz Konarski, Piotr Bieniek, Tomasz

2007, nr 3
artykuł
The influence of annealing (900◦C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Głuszko, Grzegorz Konarski, Piotr Schmeißer, Dieter Hoffmann, Patrick Mroczyński, Robert

2007, nr 3
artykuł
Comparison of composition of ultra-thin silicon oxynitride layers’ fabricated by PECVD and ultrashallow rf plasma ion implantation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Konarski, Piotr Bieniek, Tomasz Schmeißer, Dieter Hoffmann, Patrick Mroczyński, Robert

2007, nr 3
artykuł
Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Bieniek, Tomasz Kudła, Andrzej

2005, nr 1
artykuł
Ultrathin oxynitride films for CMOS technology, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B.

2004, nr 1
artykuł
Challenges in scaling of CMOS devices towards 65 nm node, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Jurczak, Małgorzata Rotschild, Aude Severi, Simone Keersgieter de, An Henson, Kirklen Mertens, Sofie Rooyackers, Rita Pollentier, Ivan Scaekers, Marc Lindsay, Richard Lauwers, Anne Augendre, Emmanuel Veloso, Anabela

2005, nr 1
artykuł
The role of fluorine-containing ultra-thin layer in controlling boron thermal diffusion into silicon, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Kalisz, Małgorzata Barcz, Adam

2007, nr 3
artykuł
Challenges in ultrathin oxide layers formation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Łukasiak, Lidia Korwin-Pawłowski, Michał

2001, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji