Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Charge-pumping characterization of FILOX vertical MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Autor:

Ashburn, Peter ; Głuszko, Grzegorz ; Łukasiak, Lidia ; Gili, Enrico

Data wydania:

2007, nr 3

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

This paper presents for the first time the results of charge-pumping (CP) measurements of FILOX vertical transistors. The aim of these measurements is to provide information on the density of interface traps at the Si-SiO2 interface fabricated in a non-standard process. Flat-band and threshold voltage, as well as density of interface traps are determined. Good agreement between threshold-voltage values obtained from CP and I-V measurements is observed.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:290

DOI:

10.26636/jtit.2007.3.833

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

MOSFET vertical MOSFET interface traps FILOX charge-pumping, FILOX, interface traps, MOSFET, vertical MOSFET

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

24 lip 2024

Data dodania obiektu:

27 sty 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

174

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/333

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Głuszko, Grzegorz; Łukasiak, Lidia; Gili, Enrico; Ashburn, Peter, Charge-pumping characterization of FILOX vertical MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3 24 lip 2024

Obiekty Podobne
Characterization of SOI MOSFETs by means of charge-pumping, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Głuszko, Grzegorz Łukasiak, Lidia Gottlob, Heinrich Lemme, Max Szostak, Sławomir

2007, nr 3
artykuł
Recent developments in vertical MOSFETs and SiGe HBTs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Buiu, Octavian Hall, Stephen Ashburn, Peter Groot de, Kees

2004, nr 1
artykuł
Charge-pumping characterization of SOI devices fabricated by means of wafer bonding over pre-patterned cavities, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Raskin, Jean-Pierre Głuszko, Grzegorz Łukasiak, Lidia Olbrechts, Benoit Kilchytska, Valeriya Flandre, Denis Chung, Tsung Ming

2007, nr 3
artykuł
Development of 3C-SiC MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Ericsson, Per Nagasawa, Hiroyuki Abe, Masayuki Strömberg, Helena Schöner, Adolf Bakowski, Mietek

2007, nr 2
artykuł
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Pióro, Zbigniew

2004, nr 1
artykuł
A model of partially-depleted SOI MOSFETs in the subthreshold range, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Domański, Krzysztof

2001, nr 1
artykuł
An impact of frequency on capacitances of partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Zaręba, Agnieszka

2000, nr 3,4
artykuł
An impact of physical phenomena on admittances of partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Gibki, Jan

2001, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji