Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Correlation between electric parameters of carbon layers and their capacity for field emission, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Autor:

Szmidt, Jan ; Czerwosz, Elżbieta ; Gronau, Ryszard

Data wydania:

2007, nr 3

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

The aim of this work is to study a possibility of field electron emission from carbon layers produced by radio frequency plasma chemical vapor deposition (RF PCVD) method. A correlation between electric parameters of the layers and the ability to produce electron emission is also studied through material (AFM) and electrical (C-V, I-V) characterization of the obtained layers. It is demonstrated that the layers deposited with the highest self-bias exhibit the highest capacity for electron emission.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:283

DOI:

ttps://doi.org/10.26636/jtit.2007.3.826 10.26636/jtit.2007.3.826

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

diamond-like carbon (DLC) carbon layerse (I-V) current-voltage (I-V) capacitance-voltage (C-V) AFM field emission RF PCVD

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

24 lip 2024

Data dodania obiektu:

27 sty 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

211

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/326

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Gronau, Ryszard; Szmidt, Jan; Czerwosz, Elżbieta, Correlation between electric parameters of carbon layers and their capacity for field emission, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3 24 lip 2024

Obiekty Podobne
Investigations of electron emission from DLC thin films deposited by means of RF PCVD at various self-bias voltages, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Znamirowski, Zbigniew Staryga, Elżbieta Jarzyńska, Dagmara Cłapa, Marian

2007, nr 3
artykuł
Fabrication and properties of the field emission array with self-alignment gate electrode, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Grabiec, Piotr Zaborowski, Michał Rangelow, Ivo W. Barth, Wolfgang Dębski, Tomasz Hudek, Peter Biehl, Steffen Studzińska, Krystyna Kostic, Ivan Mitura, Stanisław

2001, nr 1
artykuł
Lateral Force Calibration Method Used for Calibration of Atomic Force Microscope, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Ekwińska, Magdalena Rymuza, Zygmunt

2009, nr 4
artykuł
Application of scanning shear-force microscope for fabrication of nanostructures, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Sikora, Andrzej Gotszalk, Teodor Rangelow, Ivo W. Sankowska, Anna

2005, nr 1
artykuł
Technology of MISFET with SiO2/BaTiO3 System as a Gate Insulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Szmidt, Jan Firek, Piotr

2009, nr 4
artykuł
Reliability of MIS transistors with plasma deposited Al2O3 gate dielectric film, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Szmidt, Jan Werbowy, Aleksander Dusiński, Emil Zdunek, Krzysztof

2001, nr 1
artykuł
Properties of Al contacts to Si surface exposed in the course of plasma etching of previously grown nanocrystalline c-BN lm, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Szmidt, Jan Werbowy, Aleksander Firek, Piotr Olszyna, Andrzej R.

2005, nr 1
artykuł
Influence of the deposition process parameters on electronic properties of BN films obtained by means of RF PACVD, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Szmidt, Jan Werbowy, Aleksander Kwietniewski, Norbert Firek, Piotr

2007, nr 3
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji