Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy udostępnia 2 262 obiektów cyfrowych
Obiekt
Tytuł: Electron mobility and drain current in strained-Si MOSFET, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3
Opis:
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa
Format:
Identyfikator zasobu:
DOI:
ISSN:
eISSN:
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Język:
Prawa:
Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności
Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:
- Biblioteka Cyfrowa Instytutu Łączności
- Biblioteka Cyfrowa Instytutu Łączności > Wydawnictwa Instytutu Łączności
- Biblioteka Cyfrowa Instytutu Łączności > Wydawnictwa Instytutu Łączności > Wydawnictwa bieżące > Journal of Telecommunications and Information Technology (JTIT)
Data ostatniej modyfikacji:
24 lip 2024
Data dodania obiektu:
28 sty 2010
Liczba wyświetleń treści obiektu:
842
Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:
https://bc.itl.waw.pl/publication/335
Wyświetl opis w formacie RDF:
Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:
Obiekty Podobne
Walczak, Jakub Majkusiak, Bogdan
2004, nr 1
artykuł
Jakubowski, Andrzej Majkusiak, Bogdan Korwin-Pawłowski, Michał Janik, Tomasz
2001, nr 1
artykuł
×