Obiekt

Tytuł: Applying shallow nitrogen implantation from rf plasma for dual gate oxide technology, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

24 lip 2024

Data dodania obiektu:

25 sty 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

168

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/319

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Obiekty Podobne

×

Cytowanie

Styl cytowania:

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji