Obiekt

Tytuł: Comparison of 4H-SiC and 6H-SiC MOSFET I-V characteristic ssimulated with Silvaco Atlas and Crosslight Apsys, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

28 sty 2010

Data dodania obiektu:

28 sty 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

2 407

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.itl.waw.pl/publication/337

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Obiekty Podobne

×

Cytowanie

Styl cytowania:

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji